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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMB02070E4750BB200 | MMB02070E4750BB200 |   |
更新时间：2026-1-2 10:31:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IRC |
10+ |
SMD |
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IRC |
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商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） - 漏源电压（Vdss） - 栅源极阈值电压 - 漏源导通电阻 - 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW
2020-11-12
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