| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. POWER MOS 7® FREDFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alo | ADPOW |   | ||
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon | ADPOW | | ||
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Fast | ADPOW | | ||
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. POWER MOS 7™ Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7TMby significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching losses along wit | ADPOW | | ||
Silicon Industrial Rectifier 20 Amp Description: The NTE6013 is a 20 Ampere (RMS) silicon rectifier in an electrically isolated TO220 type package with a voltage rating of 600V for use in common anode or common cathode circuits. This device features a glass–passivated junction to ensure long term reliability and stability. In add | NTE | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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APT |
26+ |
模块 |
3562 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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24+ |
8866 |
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APT |
22+ |
原厂原封 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
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APT |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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MICROSEMI |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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APT |
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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APT |
23+ |
模块 |
900 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
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Microsemi |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
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Microsemi Corporation |
22+ |
SOT227 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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APT |
25+ |
MODULE |
450 |
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2020-11-13ML9266MRG全新原装现货
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2019-9-24ML4824CP1-功率因数校正和PWM组合控制器
概述 该ML4824是一场权力校正因数控制器，交换式电源供应。功率因数校正（PFC）的允许小，成本更低的大电容的使用，降低电力线负载和压力的开关场效应管，并在电力供应，完全符合结果与IEC1000- 2 -3规范。包括该ML4824电路用于实现领先优势，平均目前，“助推”型功率因数校正和结尾边沿，脉冲宽度调制（PWM）。该器件有两种版本;的ML4824- 1（fPWM= fPFC）和ML4824- 2（fPWM=2 × fPFC）。增加一倍的PWM开关频率允许用户可以设计更小的输出组件，同时保持最佳的PFC的工作频率。一个过电压比较器关闭PFC部分中事件中的一个负载突然减少。
2013-2-11ML4800-功率因数校正和PWM组合控制器
概述 该ML4800是一场权力校正因数控制器,交换式电源供应。功率因数校正（PFC）的允许小，成本更低的大电容的使用，降低电力线负载和压力的开关场效应管，并在电力供应，完全符合结果与IEC1000- 3 -2规范。目的是作为一种BiCMOS版本的行业标准ML4824，ML4800的包括领导力执行电路，平均电流，“助推”型功率因数校正和尾部边缘，脉冲宽度调制（PWM）。它还包括TriFault检测™功能，帮助确保没有不安全的条件下将导致从单一部件故障在PFC。门-1A的驱动能力，最大限度地减少需要外部驱动电路。低功率要求提高效率，降低元件成本。过压比较器关闭PFC部
2013-2-11ML4810-高频电源控制器
ML4810和ML4811高频PWM控制器优化开关电源的使用至1MHz的频率运行的电源设计。 “ML4810/11包含一个独特的过载保护电路这有助于限制输出设备上的压力，可靠地执行软启动复位。这些控制器在电压或电流模式和设计工作提供输入电压前馈。一个1.1V的阈值电流限制比较器提供了一个逐周期电流限制。积分电路“计数”达成倍1.1V限制。软启动周期开始的逐周期电流多次激活限制。复位的延时功能上提供的ML4811。 特点 *集成软启动复位 *高电流（峰值为2A）双图腾柱输出 *实际运行至1MHz（FOSC） *5.1V±2
2012-11-27MLF1005LR10KT-SMD电感
SMD电感（线圈）对于信号线（多层，磁屏蔽） 要进一步精简各种数字设备保持高度的功能，并在低功耗到Excel， 安装在设备上的零件也需要有较低的阻力。 MLF1005L类型是一个电感器已的新生产线开发，以满足这样的要求：，他们的抵抗已经高达35％的下降，与现有的比较MLF1005类型。 此外，该新型电感器使用类似的磁屏蔽，这使他们的高密度安装。 MLF1005LR10KT 特点 •MLF1005L类型的电阻降低高达35％，与现有MLF1005类型的比较。 •磁屏蔽配置，允许
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