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UltraPrecisionBulkMetalFilmResistors

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WELWYN

Welwyn Components Limited

WELWYN

N-Channel20V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

Idealresistorforprecisioninstrumentation

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TTELECTT Electronics.

梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司

TTELEC

N-ChannelReducdedQg,FastSwitchingMOSFET

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TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

N-Channel20V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-5-24 17:59:01
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  • ML2871,ML414RL/F9JE,ML414RM/F9JE,ML414R-TT40,ML414R-TT40A-TP1

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    2020-2-19
  • ML4824CP1-功率因数校正和PWM组合控制器

    概述该ML4824是一场权力校正因数控制器,交换式电源供应。功率因数校正(PFC)的允许小,成本更低的大电容的使用,降低电力线负载和压力的开关场效应管,并在电力供应,完全符合结果与IEC1000-2-3规范。包括该ML4824电路用于实现领先优势,平均目前,“助推”型功率因数校正和结尾边沿,脉冲宽度调制(PWM)。该器件有两种版本;的ML4824-1(fPWM=fPFC)和ML4824-2(fPWM=2×fPFC)。增加一倍的PWM开关频率允许用户可以设计更小的输出组件,同时保持最佳的PFC的工作频率。一个过电压比较器关闭PFC部分中事件中的一个负载突然减少。

    2013-2-11
  • ML4800-功率因数校正和PWM组合控制器

    概述该ML4800是一场权力校正因数控制器,交换式电源供应。功率因数校正(PFC)的允许小,成本更低的大电容的使用,降低电力线负载和压力的开关场效应管,并在电力供应,完全符合结果与IEC1000-3-2规范。目的是作为一种BiCMOS版本的行业标准ML4824,ML4800的包括领导力执行电路,平均电流,“助推”型功率因数校正和尾部边缘,脉冲宽度调制(PWM)。它还包括TriFault检测™功能,帮助确保没有不安全的条件下将导致从单一部件故障在PFC。门-1A的驱动能力,最大限度地减少需要外部驱动电路。低功率要求提高效率,降低元件成本。过压比较器关闭PFC部

    2013-2-11
  • ML4810-高频电源控制器

    ML4810和ML4811高频PWM控制器优化开关电源的使用至1MHz的频率运行的电源设计。“ML4810/11包含一个独特的过载保护电路这有助于限制输出设备上的压力,可靠地执行软启动复位。这些控制器在电压或电流模式和设计工作提供输入电压前馈。一个1.1V的阈值电流限制比较器提供了一个逐周期电流限制。积分电路“计数”达成倍1.1V限制。软启动周期开始的逐周期电流多次激活限制。复位的延时功能上提供的ML4811。特点*集成软启动复位*高电流(峰值为2A)双图腾柱输出*实际运行至1MHz(FOSC)*5.1V±2

    2012-11-27