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N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4622 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 20V,ID =6.4A RDS(ON)

TUOFENG

拓锋半导体

High Q, high self-resonant frequency

Special Features • High Q, high self-resonant frequency • High voltage application • Single layer or 3-pi universal wound • Low cost • Varnish coated • Operating temperature: phenolic -55 to +125°C iron & ferrite -55 to +105°C • Current to cause 35°C maximum temperature rise

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

VHB?줥apes

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3M

Relampable Indicator Light

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VCC

Visual Communications Company

VHB Tape - Specialty Tapes

文件:735.51 Kbytes Page:9 Pages

3M

更新时间:2025-8-9 11:40:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2020-2-19
  • ML4824CP1-功率因数校正和PWM组合控制器

    概述 该ML4824是一场权力校正因数控制器,交换式电源供应。功率因数校正(PFC)的允许小,成本更低的大电容的使用,降低电力线负载和压力的开关场效应管,并在电力供应,完全符合结果与IEC1000- 2 -3规范。包括该ML4824电路用于实现领先优势,平均目前,“助推”型功率因数校正和结尾边沿,脉冲宽度调制(PWM)。该器件有两种版本;的ML4824- 1(fPWM= fPFC)和ML4824- 2(fPWM=2 × fPFC)。增加一倍的PWM开关频率允许用户可以设计更小的输出组件,同时保持最佳的PFC的工作频率。一个过电压比较器关闭PFC部分中事件中的一个负载突然减少。

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  • ML4800-功率因数校正和PWM组合控制器

    概述 该ML4800是一场权力校正因数控制器,交换式电源供应。功率因数校正(PFC)的允许小,成本更低的大电容的使用,降低电力线负载和压力的开关场效应管,并在电力供应,完全符合结果与IEC1000- 3 -2规范。目的是作为一种BiCMOS版本的行业标准ML4824,ML4800的包括领导力执行电路,平均电流,“助推”型功率因数校正和尾部边缘,脉冲宽度调制(PWM)。它还包括TriFault检测™功能,帮助确保没有不安全的条件下将导致从单一部件故障在PFC。门-1A的驱动能力,最大限度地减少需要外部驱动电路。低功率要求提高效率,降低元件成本。过压比较器关闭PFC部

    2013-2-11
  • ML4810-高频电源控制器

    ML4810和ML4811高频PWM控制器优化开关电源的使用至1MHz的频率运行的电源设计。 “ML4810/11包含一个独特的过载保护电路这有助于限制输出设备上的压力,可靠地执行软启动复位。这些控制器在电压或电流模式和设计工作提供输入电压前馈。一个1.1V的阈值电流限制比较器提供了一个逐周期电流限制。积分电路“计数”达成倍1.1V限制。软启动周期开始的逐周期电流多次激活限制。复位的延时功能上提供的ML4811。 特点 *集成软启动复位 *高电流(峰值为2A)双图腾柱输出 *实际运行至1MHz(FOSC) *5.1V±2

    2012-11-27