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MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

FEATURES  High-speed switching, Low On-resistance  1.2V Low gate drive  ESD protected  Available in SC89-3 package DESCRIPTION VDS=20V VGS=±8V ID(A)=0.83A RDS(ON)=200mΩ(Typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=245mΩ(Typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=310mΩ(Typ.)@VGS=1.8V RDS(ON)=380mΩ(Typ.)@VGS=1.5V RDS(ON)=

AITSEMI

创瑞科技

100V N-Channel MOSFET

General Description The AO4452 is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technology is well suited for PWM, load switching and general purpose applicatio

AOSMD

万国半导体

Pushbutton valve

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FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

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更新时间:2025-10-20 20:07:01
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    2023-2-16
  • ML22620TBZ0BX原装特价现货出售

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    2022-7-14
  • ML2871,ML414RL/F9JE,ML414RM/F9JE,ML414R-TT40,ML414R-TT40A-TP1

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    2020-2-19
  • ML4824CP1-功率因数校正和PWM组合控制器

    概述 该ML4824是一场权力校正因数控制器,交换式电源供应。功率因数校正(PFC)的允许小,成本更低的大电容的使用,降低电力线负载和压力的开关场效应管,并在电力供应,完全符合结果与IEC1000- 2 -3规范。包括该ML4824电路用于实现领先优势,平均目前,“助推”型功率因数校正和结尾边沿,脉冲宽度调制(PWM)。该器件有两种版本;的ML4824- 1(fPWM= fPFC)和ML4824- 2(fPWM=2 × fPFC)。增加一倍的PWM开关频率允许用户可以设计更小的输出组件,同时保持最佳的PFC的工作频率。一个过电压比较器关闭PFC部分中事件中的一个负载突然减少。

    2013-2-11
  • ML4800-功率因数校正和PWM组合控制器

    概述 该ML4800是一场权力校正因数控制器,交换式电源供应。功率因数校正(PFC)的允许小,成本更低的大电容的使用,降低电力线负载和压力的开关场效应管,并在电力供应,完全符合结果与IEC1000- 3 -2规范。目的是作为一种BiCMOS版本的行业标准ML4824,ML4800的包括领导力执行电路,平均电流,“助推”型功率因数校正和尾部边缘,脉冲宽度调制(PWM)。它还包括TriFault检测™功能,帮助确保没有不安全的条件下将导致从单一部件故障在PFC。门-1A的驱动能力,最大限度地减少需要外部驱动电路。低功率要求提高效率,降低元件成本。过压比较器关闭PFC部

    2013-2-11
  • ML4810-高频电源控制器

    ML4810和ML4811高频PWM控制器优化开关电源的使用至1MHz的频率运行的电源设计。 “ML4810/11包含一个独特的过载保护电路这有助于限制输出设备上的压力,可靠地执行软启动复位。这些控制器在电压或电流模式和设计工作提供输入电压前馈。一个1.1V的阈值电流限制比较器提供了一个逐周期电流限制。积分电路“计数”达成倍1.1V限制。软启动周期开始的逐周期电流多次激活限制。复位的延时功能上提供的ML4811。 特点 *集成软启动复位 *高电流(峰值为2A)双图腾柱输出 *实际运行至1MHz(FOSC) *5.1V±2

    2012-11-27