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HiPerFET Power MOSFETs

HiPerFETs The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

IXYS

艾赛斯

HIPERFET Power MOSFTETs

HiPerFETs The hIPerFET family of Power MOSFETs is designed to provice superior dv/dt, performance while eliminating the need for discrete, fase recovery free wheeling rectifiers In a board range of power switching applications.

IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.05Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:238.98 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

更新时间:2025-12-27 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
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