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MKI100-12E8

封装/外壳:E3 包装:盒 描述:IGBT MODULE 1200V 165A 640W E3 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

IXYS

艾赛斯

MKI100-12E8

MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3

LITTELFUSE

力特

IGBT Modules

null

IXYS

艾赛斯

MKI100-12E8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MKI100-12E8

  • 功能描述

    IGBT 模块 IGBT(NPT3)

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2026-1-27 19:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
2025+
SMD
32000
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