MJW21196G价格

参考价格:¥13.0977

型号:MJW21196G 品牌:ONSemi 备注:这里有MJW21196G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MJW21196G批发/采购报价,MJW21196G行情走势销售排行榜,MJW21196G报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJW21196G

Silicon Power Transistors

The MJW21195 and MJW21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. Features  Total Harmonic Distortion Characterized  High DC Current Gain − hFE = 20 Min @ IC = 8 Adc  Excellent Gain Lin

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安森美半导体

MJW21196G

封装/外壳:TO-247-3 包装:散装 描述:TRANS NPN 250V 16A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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安森美半导体

MJW21196G

16 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS, 200 WATTS

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安森美半导体

MJW21196G

Silicon Power Transistors

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安森美半导体

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Silicon Power Transistors The MJ21195 and MJ21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. Features • Total Harmonic Distortion Characterized • High DC Current Gain − hFE = 25 Min @ IC = 8 Ad

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Silicon Power Transistors

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安森美半导体

Silicon Power Transistors 16 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON

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MJW21196G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJW21196G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 16A 250V 200W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-9-27 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-247
928
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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24+
NA/
139
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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24+
TO-247-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
三年内
1983
只做原装正品
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25+
NA
860000
明嘉莱只做原装正品现货
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NA
275000
一级代理原装正品,价格优势,长期供应!
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21+
TO-247-3
8080
只做原装,质量保证
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23+
双极型晶体管
5864
原装原标原盒 给价就出 全网最低
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23+
NA
2860
原装正品代理渠道价格优势
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2021+
TO-247-3
7600
原装现货,欢迎询价

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