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位置：首页 > IC中文资料第1779页 > MJF6668

MJF6668晶体管资料

  • MJF6668别名：MJF6668三极管、MJF6668晶体管、MJF6668晶体三极管

  • MJF6668生产厂家：

  • MJF6668制作材料：Si-P+Darl+Di

  • MJF6668性质：功率放大 （L）

  • MJF6668封装形式：直插封装

  • MJF6668极限工作电压：100V

  • MJF6668最大电流允许值：10A

  • MJF6668最大工作频率：<1MHZ或未知

  • MJF6668引脚数：3

  • MJF6668最大耗散功率：40W

  • MJF6668放大倍数：β>3000

  • MJF6668图片代号：B-10

  • MJF6668vtest：100

  • MJF6668htest：999900

  • MJF6668atest：10

  • MJF6668wtest：40

  • MJF6668代换 MJF6668用什么型号代替：2SA1720,2SB1110,2SB1432,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJF6668

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 10 AMPERES 100 VOLTS 40 WATTS

Complementary Power Darlingtons For Isolated Package Applications Designed for general–purpose amplifiers and switching applications, where the mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink or chassis. • Isolated Overmold Package, TO–220 T

MOTOROLA

摩托罗拉

MJF6668

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS

Complementary Power Darlingtons For Isolated Package Applications Designed for general−purpose amplifiers and switching applications, where the mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink or chassis. Features • Isolated Overmold Package

ONSEMI

安森美半导体

MJF6668

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 10 AMPERES 100 VOLTS, 40 WATTS

文件：159.95 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJF6668

Complementary Power Darlingtons

文件：158.48 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJF6668

Complementary Power Darlingtons

文件：196.54 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJF6668

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：散装 描述：TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJF6668

功率 10A 100V PNP

ONSEMI

安森美半导体

MJF6668G

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJF6668G

Complementary Power Darlingtons

文件：196.54 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJF6668G

Complementary Power Darlingtons

文件：158.48 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJF6668G

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 10 AMPERES 100 VOLTS, 40 WATTS

文件：159.95 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

HJ6668

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description The HJ6668 is designed for general-purpose amplifier and switching applications.

HSMC

华昕

AN6668

Applications of the CA3080 High-Performance Operational Transconductance Ampliflers

文件：1.93188 Mbytes Page：18 Pages

INTERSIL

BA6668FM

3-Phase Motor Driver For CD-ROM/R-RW,DVD-ROM/RAM

文件：893.69 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

MJF6668产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJF6668

  • 功能描述

    达林顿晶体管 10A 100V Bipolar

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

MJF6668供应商更多...

更新时间：2026-3-17 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MJF6668
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MJF6668
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MJF6668
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