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MJE13003G-H-H-T9N-R

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V applications in switch mode. FEATURES * Reverse biased SOA with inductive load @ TC=100°C * Inductive switching matr

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友顺

更新时间:2025-8-6 23:00:00
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