MJD55H11晶体管资料

  • MJD55H11别名:MJD55H11三极管、MJD55H11晶体管、MJD55H11晶体三极管

  • MJD55H11生产厂家:韩国三星公司

  • MJD55H11制作材料

  • MJD55H11性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • MJD55H11封装形式:贴片封装

  • MJD55H11极限工作电压

  • MJD55H11最大电流允许值:8A

  • MJD55H11最大工作频率:<1MHZ或未知

  • MJD55H11引脚数:3

  • MJD55H11最大耗散功率:20W

  • MJD55H11放大倍数

  • MJD55H11图片代号:G-217

  • MJD55H11vtest:0

  • MJD55H11htest:999900

  • MJD55H11atest:8

  • MJD55H11wtest:20

  • MJD55H11代换 MJD55H11用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:376.79 Kbytes Page:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

更新时间:2025-12-31 14:07:02
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