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MJD50晶体管资料

  • MJD50别名：MJD50三极管、MJD50晶体管、MJD50晶体三极管

  • MJD50生产厂家：韩国三星公司

  • MJD50制作材料：

  • MJD50性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • MJD50封装形式：贴片封装

  • MJD50极限工作电压：

  • MJD50最大电流允许值：1A

  • MJD50最大工作频率：<1MHZ或未知

  • MJD50引脚数：3

  • MJD50最大耗散功率：15W

  • MJD50放大倍数：

  • MJD50图片代号：G-217

  • MJD50vtest：0

  • MJD50htest：999900

  • MJD50atest：1

  • MJD50wtest：15

  • MJD50代换 MJD50用什么型号代替：

MJD50价格

参考价格：￥1.1509

型号：MJD50G 品牌：ONSemi 备注：这里有MJD50多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD50批发/采购报价，MJD50行情走势销售排行榜，MJD50报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJD50TF-O-R-B-A

丝印代码：MJD50；HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES ● High breakdown voltage ● High current capability ● High switching speed ● High reliability ● RoHS product APPLICATIONS ● High frequency switching power supply ● High frequency power transform ● Commonly power amplifier circuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

MJD50

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features • Load Formed for Surface Mount Application • Straight Lead

KEXIN

科信电子

MJD50

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The MJD50 is manufactured using Medium Voltage Epitaxial Planar technology,resulting in a rugged high performancecost-effective transistor. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE ■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY ■ SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE &

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD50

1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor

The NPN Bipolar Power Transistor is designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply drivers and other switching applications. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)\n• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (\"-1\" Suffix)\n• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (\"T4\" Suffix)\n• Electrically Similar to Popular TIP47, and TIP50\n• 250 and 400 V (Min)VCEO(sus)\n• 1 A Rated Colle;

ONSEMI

安森美半导体

MJD50

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

Designed for line operated audio output amplifier, switchmode supply drivers and other switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP47, and TIP50 • Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in • NJV Prefi

ONSEMI

安森美半导体

MJD50

High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications

Features • High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications • Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP47 and TIP50

FAIRCHILD

仙童半导体

MJD50

NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS

High Voltage Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers and other switching applications. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Versio

MOTOROLA

摩托罗拉

MJD50

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 400V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):1.0V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS · Designed for use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications.

ISC

无锡固电

MJD50

High Voltage Power Transistors

文件：81.43 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD50

High Voltage Power Transistors

文件：66.32 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD50

High Voltage Power Transistors

文件：81.43 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD50

High Voltage Power Transistors

文件：115.91 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD50

isc Silicon NPN Power Transistors

文件：329.89 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

MJD50

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：托盘 描述：TRANS NPN 400V 1A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJD50-1

NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS

High Voltage Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers and other switching applications. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Versio

MOTOROLA

摩托罗拉

MJD50T4

NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS

High Voltage Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers and other switching applications. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Versio

MOTOROLA

摩托罗拉

MJD50TF

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

FEATURES ● High breakdown voltage ● High current capability ● High switching speed ● High reliability ● RoHS product APPLICATIONS ● High frequency switching power supply ● High frequency power transform ● Commonly power amplifier circuit

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

MJD50TF

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features • High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications • Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix) • Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix) • Electrically Similar to Popular TIP47 and TIP50

FAIRCHILD

仙童半导体

MJD50-XFCS

MJD50-XFCS: 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor

1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)\n• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

MJD50_12

NPN Epitaxial Silicon Transistor

文件：226.19 Kbytes Page：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

MJD50G

High Voltage Power Transistors

文件：81.43 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD50G

High Voltage Power Transistors

文件：115.91 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD50G

High Voltage Power Transistors

文件：66.32 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD50RLG

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 400V 1A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJD50T4G

High Voltage Power Transistors

文件：66.32 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD50T4G

High Voltage Power Transistors

文件：115.91 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD50T4G

High Voltage Power Transistors

文件：81.43 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD50TF

双极型晶体管/BJT-音频放大

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

MJD50产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • AEC Qualified：

    A

  • Halide free：

    H

  • PPAP Capablee：

    P

  • Status：

    Active

  • Polarity：

    NPN

  • Type：

    General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)：

    1

  • IC Cont. (A)：

    1

  • VCEO Min (V)：

    400

  • VCBO (V)：

    500

  • VEBO (V)：

    5

  • VBE(on) (V)：

    1.5

  • hFE Min：

    30

  • hFE Max：

    150

  • fT Min (MHz)：

    10

  • PTM Max (W)：

    15

  • Package Type：

    DPAK-3

MJD50供应商更多...

更新时间：2026-5-14 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
MJD5731T4
onsemi
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DPAK
22360
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深圳市得捷芯城科技有限公司
MJD5731T4
onsemi
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DPAK
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深圳市腾亿芯科技有限公司
MJD5731T4
ON(安森美)
25+
标准封装
20000
原装，请咨询
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深圳市宇创芯科技有限公司
MJD5731
ON(安森美)
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18000
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深圳市中飞凌科技有限公司
MJD5731
ON(安森美)
26+
NA
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只有原装 可配单
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深圳市振宏微科技有限公司
MJD5731T4
ONSEMICONDUCTOR
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NA
5546
专做原装正品,假一罚百!
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深圳诚思涵科技有限公司
MJD5731
ON
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TO252
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
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深圳市正纳电子有限公司
MJD5731T4
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深圳市芯皇电子有限公司
MJD5731
ON
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TO-220-3
50000
原装正品假一罚十,代理渠道价格优
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深圳市拓亿芯电子有限公司
MJD5731T4G
ON
25+
SOT252
30000
代理全新原装现货,价格优势
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