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DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 400V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat):1.0V(Max) @IC= 1A
APPLICATIONS
· Designed for use in industrial-military power amplifier and
switching circuit applications.
MJD50产品属性
- 类型
描述
- 型号
MJD50
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 1A 400V 15W NPN
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025 |
TO-252 |
3200 |
国产南科 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
|||
ST |
24+ |
SOT-252 |
32350 |
深圳存库原装现货 |
|||
ONSEMI |
23+ |
NA |
2246 |
||||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
2176 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
ST/意法 |
2404+ |
TO252 |
3300 |
现货正品原装,假一赔十 |
|||
onsemi/安森美 |
25+ |
标准 |
36714 |
onsemi/安森美原装特价MJD50T4G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ON |
23+ |
TO-252 |
18961 |
公司优势库存热卖全新原装!欢迎来电 |
|||
ST |
SOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
ON |
24+ |
TO252 |
25000 |
专注原装正品!现货库存! |
MJD50TF/BKN 价格
参考价格：￥1.0498
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 27296条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
