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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MJD350G | High Voltage Power Transistors 文件：126.27 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MJD350G | High Voltage Power Transistors 文件：93.23 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MJD350G | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：托盘 描述：TRANS PNP 300V 0.5A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Celeron M Processor on 90 nm Process 文件：879.41 Kbytes Page：68 Pages | Intel 英特尔 | | ||
Celeron D Processor 文件：1.75778 Mbytes Page：82 Pages | Intel 英特尔 | | ||
Low Inductance, Radial, Aluminum Electrolytic High Frequency, Solid Aluminum Top 文件：182.95 Kbytes Page：4 Pages | CDE | | ||
9x14mm Differential PECL High Frequency VCXO(416MHz to 832MHz) 文件：105.86 Kbytes Page：2 Pages | CTS 西迪斯 | | ||
HEADER STRIPS .100??Grid Solder Tail Single Row 文件：116.48 Kbytes Page：1 Pages | MILL-MAX Mill-Max Manufacturing Corp. | |
MJD350G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MJD350G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 0.5A 300V 15W PNP
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2450+ |
TO-252 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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ON |
23+ |
TO-252 |
864 |
正规渠道,只有原装! |
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ON/安森美 |
2023+ |
TO-252 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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ON/安森美 |
25+ |
TO-252 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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ON |
24+ |
DPAK4LEADSingleG |
8866 |
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TO-252 |
5000 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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DPAK |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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TO-252 |
1625 |
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深圳市拓亿芯电子 正品销售mjd31ct4g
2019-11-1
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