MJD31C1G价格

参考价格:¥0.9023

型号:MJD31C1G 品牌:ON 备注:这里有MJD31C1G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MJD31C1G批发/采购报价,MJD31C1G行情走势销售排行榜,MJD31C1G报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJD31C1G

Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix) • Lead Formed Versi

ONSEMI

安森美半导体

MJD31C1G

Complementary Power Transistors

文件:81.61 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD31C1G

Complementary Power Transistors

文件:135.34 Kbytes Page:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD31C1G

Complementary Power Transistors

文件:100.84 Kbytes Page:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD31C1G

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 100V 3A IPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

Complementary Power Transistors

文件:81.61 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power Transducer Series L-UNIT

文件:146.39 Kbytes Page:5 Pages

MSYSTEM

爱模

Power Transducer Series L-UNIT

文件:146.39 Kbytes Page:5 Pages

MSYSTEM

爱模

MJD31C1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD31C1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-27 18:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
19+
TO-251-3
18
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
三年内
1983
只做原装正品
ON
2025+
TO-252-3
3577
全新原厂原装产品、公司现货销售
ON/安森美
2023+
TO-251
8635
全新原装正品,优势价格
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ON
23+
DPAK-3
56000
ON/安森美
2450+
NA
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
ONSEMI
21+
IPAK-3
20000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
ON/安森美
24+
IPAK
10000
十年沉淀唯有原装
ON
25+23+
IPAK-4
17203
绝对原装正品全新进口深圳现货

MJD31C1G数据表相关新闻