MJD253T4价格

参考价格:¥1.6266

型号:MJD253T4G 品牌:ONSemi 备注:这里有MJD253T4多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MJD253T4批发/采购报价,MJD253T4行情走势销售排行榜,MJD253T4报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJD253T4

Complementary Silicon Plastic Power Transistor

Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK−3 for Surface Mount Applications Designed for low voltage, low−power, high−gain audio amplifier applications. Features • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc • High DC Cur

ONSEMI

安森美半导体

MJD253T4

Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications

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安森美半导体

MJD253T4

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:剪切带(CT) 描述:TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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安森美半导体

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PNP 100V 4A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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安森美半导体

Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications

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安森美半导体

Complementary Silicon Plastic Power Transistor

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安森美半导体

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

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MJD253T4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD253T4

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-27 14:07:00
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