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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MJD18002D2T4G | POWERTRANSISTOR2AMPERES1000VOLTS,50WATTSBipolarNPNTransistor BipolarNPNTransistor HighSpeed,HighGainBipolarNPNPowerTransistorwithIntegratedCollector−EmitterDiodeandBuilt−InEfficientAntisaturationNetwork TheMJD18002D2isastate−of−the−arthighspeed,highgainbipolartransistor(H2BIP).Tightdynamiccharacteristicsandlottolotmini | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
MJD18002D2T4G | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS NPN 450V 2A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
POWERTRANSISTOR2AMPERES1000VOLTS,50WATTSBipolarNPNTransistor BipolarNPNTransistor HighSpeed,HighGainBipolarNPNPowerTransistorwithIntegratedCollector−EmitterDiodeandBuilt−InEfficientAntisaturationNetwork TheMJD18002D2isastate−of−the−arthighspeed,highgainbipolartransistor(H2BIP).Tightdynamiccharacteristicsandlottolotmini | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
MJD18002D2T4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MJD18002D2T4G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 450V TR F
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2020+ |
SOT252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
SOT252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
12250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
ON/安森美 |
24+23+ |
SOT252 |
12580 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON |
2016+ |
6528 |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
||||
ON |
23+ |
TO-252 |
35400 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
ON |
2023+ |
DPAK4LEA |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
ON |
TO-252 |
22+ |
10000 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
|||
ON/安森美 |
2024+实力库存 |
TO-252 |
1000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
ON/安森美 |
TO-252 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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