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MJD127-252

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Low Collector-Emitter saturation voltage ·Lead formed for surface mount applications ·High DC current gain APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

ISC

无锡固电

更新时间:2026-3-2 10:30:00
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TO-252-2(DPAK)
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