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MJD117-252

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-7-28 23:00:00
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