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位置：首页 > IC中文资料第1068页 > MJ2501

MJ2501晶体管资料

  • MJ2501别名：MJ2501三极管、MJ2501晶体管、MJ2501晶体三极管

  • MJ2501生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司

  • MJ2501制作材料：Si-P+Darl+Di

  • MJ2501性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • MJ2501封装形式：直插封装

  • MJ2501极限工作电压：60V

  • MJ2501最大电流允许值：100A

  • MJ2501最大工作频率：<1MHZ或未知

  • MJ2501引脚数：2

  • MJ2501最大耗散功率：150W

  • MJ2501放大倍数：β>1000

  • MJ2501图片代号：E-44

  • MJ2501vtest：60

  • MJ2501htest：999900

  • MJ2501atest：100

  • MJ2501wtest：150

  • MJ2501代换 MJ2501用什么型号代替：BDW84A..D,BCX64A...C,BDX66,MJ4030,2N6050,2N6051,2N6052,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJ2501

DARLINGTONPOWERTRANSISTORCOMPLEMENTARYSILICON

Medium-PowerComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=4000(Typ)@IC=5.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterShuntResistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ2501

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJ2501isaSiliconEpitaxial-BasePNPpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfiguration,mountedinJedecTO-3metacase.Itisintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVI

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
MJ2501

10AmpereDarlingtonPowerTransistorsComplementarySilicon

[multicomp] Features: •Medium-powercomplementarySiliconTransistorsforuseasoutputdevicesin complementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain hFE=1000(Typical)atIC=5.0A. •MonolithicconstructionwithbuiltBase-EmitterShuntResistors.

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1
MJ2501

SiliconPNPPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·ComplementtotypeMJ3000/3001 APPLICATIONS ·Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
MJ2501

COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONS

COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONS TheMJ2500,andMJ2501aresiliconepitaxial-basePNPpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryNPNtypesaretheMJ30

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
MJ2501

PowerTransistors

PowerTransistors TO-3Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
MJ2501

iscSiliconPNPDarlingtionPowerTransistor

DESCRIPTION •Built-inBase-EmitterShuntResistors •HighDCcurrentgain hFE=1000(Min)@IC=-5A •Collector-EmitterBreakdownVoltage V(BR)CEO=-80V(Min) •ComplementtotypeMJ3001 APPLICATIONS •Designedforuseasoutputdevicesincomplementary generalpurpose

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJ2501

Medium-PowerComplementarySiliconTransistors

Medium-PowerComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain—hpE=4000(Typ)@IQ=5.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterShuntResistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
MJ2501

Siliconcomplementarytrasistorspowerdarlington

PowerTransistors TO-3Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
MJ2501

SiliconNPNPowerTransistors

文件：119.99 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC
MJ2501

COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONS

文件：78.25 Kbytes Page：3 Pages

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET
MJ2501

封装/外壳：TO-204AA，TO-3 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS PNP DARL 80V 10A TO3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
MJ2501

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

文件：51.79 Kbytes Page：4 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
MJ2501_03

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

文件：51.79 Kbytes Page：4 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
2501

HIGHISOLATIONVOLTAGESINGLETRANSISTORTYPEMULTIPHOTOCOUPLERSERIES

DESCRIPTION ThePS2501-1,-4andPS2501L-1,-4areopticallycoupledisolatorscontainingaGaAslightemittingdiodeandanNPNsiliconphototransistor. ThePS2501-1,-4areinaplasticDIP(DualIn-linePackage)andthePS2501L-1,-4areleadbendingtype(Gullwing)forsurfacemount. FEATUR

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2501

FeetsofStrength

文件：91.42 Kbytes Page：1 Pages

HeycoHeyco.

海科

Heyco
2501

HIGHISOLATIONVOLTAGESINGLETRANSISTORTYPEMULTIPHOTOCOUPLERSERIES

文件：126.26 Kbytes Page：13 Pages

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2501

CAPTIVEPANELSCREWS

文件：395.93 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
2501

Eight-bitmicrocontroller

文件：3.12143 Mbytes Page：66 Pages

FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd.

富满微富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

MJ2501产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJ2501

  • 功能描述

    达林顿晶体管 PNP Darlington Power LTB 9-2009

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

MJ2501供应商更多...

更新时间：2025-8-3 11:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瀚佳科技(深圳)有限公司
MJ2501
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MJ2502
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MJ2501
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MJ2501
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深圳市昊创电子有限公司
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MJ2501
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深圳市高捷芯城科技有限公司
MJ2501
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深圳市诚利顺电子科技有限公司
MJ2501
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