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位置：首页 > IC中文资料第1636页 > MJ11032

MJ11032晶体管资料

  • MJ11032别名：MJ11032三极管、MJ11032晶体管、MJ11032晶体三极管

  • MJ11032生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司

  • MJ11032制作材料：Si-N+Darl+Di

  • MJ11032性质：低频或音频放大 （LF）

  • MJ11032封装形式：直插封装

  • MJ11032极限工作电压：120V

  • MJ11032最大电流允许值：50A

  • MJ11032最大工作频率：<1MHZ或未知

  • MJ11032引脚数：2

  • MJ11032最大耗散功率：300W

  • MJ11032放大倍数：

  • MJ11032图片代号：E-44

  • MJ11032vtest：120

  • MJ11032htest：999900

  • MJ11032atest：50

  • MJ11032wtest：300

  • MJ11032代换 MJ11032用什么型号代替：

MJ11032价格

参考价格：￥33.6902

型号：MJ11032G 品牌：ON 备注：这里有MJ11032多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJ11032批发/采购报价，MJ11032行情走势销售排行榜，MJ11032报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJ11032

50AMPERECOMPLEMENTARYSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS60.120VOLTS300WATTS

High-CurrentComplementarySiliconTransistor ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC=25Adc hFE=400(Min)@IC=50Adc •Curvesto100A(Pulsed) •

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MJ11032

COMPLEMENTARYSILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS

High−CurrentComplementarySiliconPowerTransistorsareforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=1000(Min)@IC=25Adc hFE=400(Min)@IC=50Adc •Curvesto100A

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ11032

POWERTRANSISTOR(50A,60-120V,300W)

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighGainDarlingtonPerformance •HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=25A hFE=400(Mi

MOSPECMospec Semiconductor

统懋统懋半导体股份有限公司

MOSPEC
MJ11032

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR(SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS)

SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERS SOLENOIDANDRELAYDRIVERS

WINGSWing Shing Computer Components

永盛电子永盛电子(香港)有限公司

WINGS
MJ11032

COMPLEMENTARYDARLINGTONPOWERTRANSISTOR

FEATURES •HIGHDCCURRENTGAIN HFE=1000Min@IC=25A HFE=400Min0@IC=50A •CURVESTO100A(Pulsed) •DIODEPROTECTIONTORATEDIC •MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILT-INBASE–EMITTERSHUNTRESISTOR •JUNCTIONTEMPERATURETO+200°C APPLICATIONS Foruseasoutputde

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
MJ11032

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=120V(Min.) •HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min.)@IC=25A :hFE=400(Min.)@IC=50A •ComplementtoTypeMJ11033 APPLICATIONS •Designedforuseasoutputdevicesincomplementary generalpurposeamplifierapplica

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJ11032

High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors

High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistorsareforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@Ic=25Adc hFE=400(Min)@Ic=50Adc •Curvesto100A(P

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
MJ11032

SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=120V(Min.) •HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min.)@IC=25A :hFE=400(Min.)@IC=50A •ComplementtothePNPMJ11033 APPLICATIONS •Designedforuseasoutputdevicesincomplementary generalpurposeamplifierappl

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC
MJ11032

High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors

文件：121.71 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ11032

High?묬urrentComplementarySiliconPowerTransistors

文件：68.44 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ11032

封装/外壳：TO-204AE 包装：散装 描述：TRANS NPN DARL 120V 50A TO204 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ11032-33

High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors

文件：155.77 Kbytes Page：4 Pages

SYC

SYC Electronica

SYC
MJ11032G

封装/外壳：TO-204AE 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN DARL 120V 50A TO204 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ11032G

High-CurrentComplementarySiliconPowerTransistors

文件：121.71 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ11032G

High?묬urrentComplementarySiliconPowerTransistors

文件：68.44 Kbytes Page：4 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
IJ11032H

EMI/EMCFILTER

Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo

DIT

DONG IL TECHNOLOGY LTD.

DIT
IJ11032S

EMI/EMCFILTER

Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo

DIT

DONG IL TECHNOLOGY LTD.

DIT
11032

PVCandNylonLEDSpacers

文件：130.419 Kbytes Page：1 Pages

HeycoHeyco.

海科

Heyco

MJ11032产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJ11032

  • 功能描述

    达林顿晶体管 50A 120V Bipolar

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

MJ11032供应商更多...

更新时间：2025-7-19 17:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市明嘉莱科技有限公司
MJ11032
M
24+
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深圳市得捷芯城科技有限公司
MJ11032G
ON(安森美)
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MOT
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深圳市百诺芯科技有限公司
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MOTOROLA/摩托罗拉
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深圳市高捷芯城科技有限公司
MJ11032G
ON/安森美
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TO-3-2
9048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
MJ11032
ON/安森美
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SMD
1000
全新原装正品,优势价格
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