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位置：首页 > IC中文资料第1779页 > MJ11014

MJ11014晶体管资料

  • MJ11014别名：MJ11014三极管、MJ11014晶体管、MJ11014晶体三极管

  • MJ11014生产厂家：

  • MJ11014制作材料：Si-N+Darl+Di

  • MJ11014性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • MJ11014封装形式：直插封装

  • MJ11014极限工作电压：90V

  • MJ11014最大电流允许值：30A

  • MJ11014最大工作频率：>4MHZ

  • MJ11014引脚数：2

  • MJ11014最大耗散功率：200W

  • MJ11014放大倍数：β>1000

  • MJ11014图片代号：E-44

  • MJ11014vtest：90

  • MJ11014htest：4000100

  • MJ11014atest：30

  • MJ11014wtest：200

  • MJ11014代换 MJ11014用什么型号代替：BDX68B...C,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MJ11014

POWERTRANSISTORS(30A,60-120V,200W)

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighGainDarlingtonPerformance •HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@IC=20A •MonolithicConstructionwithBuilt−inBaseEmitterShun

MOSPECMospec Semiconductor

统懋统懋半导体股份有限公司

MOSPEC
MJ11014

DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON

High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC–20Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBaseEmitterShuntResistor •JunctionTemperatureto+200°C

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MJ11014

30AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60.120VOLTS200WATTS

High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC−20Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBaseEmitterShuntResistor •JunctionTemperatureto+200C

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MJ11014

NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR(SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS)

SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERS SOLENOIDANDRELAYDRIVERS

WINGSWing Shing Computer Components

永盛电子永盛电子(香港)有限公司

WINGS
MJ11014

PowerTransistors

PowerTransistors TO-3Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
MJ11014

iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=90V(Min.) •HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min.)@IC=20A •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=3.0V(Max.)@IC=20A •ComplementtoTypeMJ11013 APPLICATIONS •Designedforuseasoutputdevicesi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MJ11014

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ..designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. FEATURES: *HighGainDarlingtonPerformance *HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@lc=20A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
MJ11014

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3

文件：15.52 Kbytes Page：1 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
11014

ClaymoreTube

Description Tubetosuit11007-11028-11033&11006.600mm-10WLEDTubeCoolWhite(4000K)

ATOMAitupu Technology Co., Ltd.

爱特姆深圳市爱特姆科技有限公司

ATOM
11014

PVCandNylonLEDSpacers

文件：105.12 Kbytes Page：1 Pages

HeycoHeyco.

海科

Heyco
11014

TESTJACKS

文件：401.4 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
11014-R

TESTJACKS

文件：401.4 Kbytes Page：1 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2
A11014MNZQ

1-4PoleRotarySwitches

文件：341.27 Kbytes Page：5 Pages

ITT

ITT Industries

ITT

MJ11014产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJ11014

  • 制造商

    Solid State Devices Inc(SSDI)

  • 功能描述

    TO 3 30 Amp Darlington Transistors NPN

MJ11014供应商更多...

更新时间：2025-7-29 17:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MJ11014
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