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MJ11014中文资料

厂家型号

MJ11014

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2

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

TO 3 30 Amp Darlington Transistors NPN

数据手册

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生产厂商

ISC

MJ11014数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 90V(Min.)

• High DC Current Gain-

: hFE= 1000(Min.)@IC= 20A

• Low Collector Saturation Voltage-

: VCE (sat)= 3.0V(Max.)@ IC= 20A

• Complement to Type MJ11013

APPLICATIONS

• Designed for use as output devices in complementary

general purpose amplifier applications.

MJ11014产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJ11014

  • 制造商

    Solid State Devices Inc(SSDI)

  • 功能描述

    TO 3 30 Amp Darlington Transistors NPN

更新时间:2025-10-19 9:16:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOT
06+
原厂原装
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只做全新原装真实现货供应
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24+
TO-3
10000
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MOT/ON
专业铁帽
TO-3
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