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IGBT Module

Features / Advantages: • Trench IGBT - low VCE(sat) - easy paralleling due to the positive temperature coefficient of the on-state voltage - Tvjm = 175°C - square RBSOA @ 2x Ic - short circuit rated for 10 μsec. - low gate charge - low EMI • Free wheeling diode - fast and soft reverse

IXYS

更新时间:2025-8-7 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Littelfuse(美国力特)
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