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MGF1801B

MICROWAVE POWER GaAs FET

DESCRIPTION The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATURES • Hig

Mitsubishi

三菱电机

MGF1801B

MICROWAVE POWER GaAs FET

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Mitsubishi

三菱电机

MGF1801B

MICROWAVE POWER GaAs FET

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TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET?

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TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET

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TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET?

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FEMALE THREADED STANDOFFS

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MGF1801B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGF1801B

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    MICROWAVE POWER GaAs FET

更新时间:2026-1-1 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI/三菱
24+
NA/
996
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
MITSUBISHI/三菱
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
MIT
2023+
14
MIT
24+
146
MITSUBISHI
22+
N/A
20000
公司只有原装 品质保障
MITSUBISH
24+
SMD
5000
MITSUBISH专营品牌原装正品假一罚十
MITSUBISHI
17+
假一赔十
994
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MITSUBISHI/三菱
24+
GD-24
60000
全新原装现货
MITSUBISHI/三菱
24+
295
现货供应
MITSUBISHI
23+
假一赔十
996
全新原装正品现货,支持订货

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