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MGF1801B

MICROWAVE POWER GaAs FET

DESCRIPTION The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATURES • Hig

Mitsubishi

三菱电机

MGF1801B

MICROWAVE POWER GaAs FET

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Mitsubishi

三菱电机

MGF1801B

MICROWAVE POWER GaAs FET

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TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET?

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MGF1801B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGF1801B

  • 制造商

    MITSUBISHI

  • 制造商全称

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述

    MICROWAVE POWER GaAs FET

更新时间:2025-11-17 18:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MIT
01+
N/A
29
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MITSUBISHI
24+
VQFN
7850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
MIT
2010+
GD-10
6000
绝对原装自己现货
MITSUBISHI/三菱
24+
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MIT
1500
正品原装--自家现货-实单可谈
MITSUBISHI
25+
2789
全新原装自家现货!价格优势!
QORVO
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5000
QORVO“芯达集团”专营品牌原装正品假一罚十
MITSUBISHI/三菱
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
MIT
2023+
14
MITSUBISHI
24+
GD-24(SMT35)
2600
原装现货假一赔十

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