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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MGF1801B | MICROWAVE POWER GaAs FET DESCRIPTION The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATURES • Hig | Mitsubishi 三菱电机 |   | |
MGF1801B | MICROWAVE POWER GaAs FET 文件：180.2 Kbytes Page：4 Pages | Mitsubishi 三菱电机 | | |
MGF1801B | MICROWAVE POWER GaAs FET | Mitsubishi 三菱电机 | | |
TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET?
| Mitsubishi 三菱电机 | | ||
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TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET | Mitsubishi 三菱电机 | | ||
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MGF1801B产品属性
- 类型
描述
- 型号
MGF1801B
- 制造商
MITSUBISHI
- 制造商全称
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述
MICROWAVE POWER GaAs FET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
NA/ |
1600 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
MITSUBISHI |
23+ |
NA |
3500 |
全新原装假一赔十 |
|||
MIT |
10+ |
SMD |
1026 |
原装现货 实单可谈 |
|||
MITSUBISHI |
24+ |
VQFN |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
MIT |
1500 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
|||||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
MIT |
2023+ |
14 |
|||||
MIT |
23+ |
DC-4 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
MIT |
24+ |
146 |
|||||
MITSUMI |
25+ |
GD-4 |
50 |
只做原装进口!正品支持实单! |
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