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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MGF0918A | L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ] DESCRIPTION The MGF0918A GaAs FET with an N-channel schottky Gate, is designed for use UHF band amplifiers. FEATURES ● High output power Po=27dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=8dBm ● High power gain Gp=20dB(TYP.) @f=1.9GHz ● High power added efficiency hadd=45(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=8dBm ● He | MITSUBISHI 三菱电机 |   | |
MGF0918A | L & S BAND GaAs FET 文件：47.05 Kbytes Page：4 Pages | MITSUBISHI 三菱电机 | | |
MGF0918A | High-power GaAs FET (small signal gain stage) 文件：110.23 Kbytes Page：4 Pages | MITSUBISHI 三菱电机 | | |
MGF0918A | L & S BAND GaAs FET | MITSUBISHI 三菱电机 | | |
L & S BAND GaAs FET 文件：47.05 Kbytes Page：4 Pages | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
High-power GaAs FET (small signal gain stage) 文件：110.23 Kbytes Page：4 Pages | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
GaAs MMIC (Dual band GSM/PCN power amplifier 35dBm / 34dBm output power at 3.5 V Two amplifiers in a single package) GaAs MMIC ● Dual band GSM/PCN power amplifier ● 35dBm / 34dBm output power at 3.5 V ● Two amplifiers in a single package ● Power ramp control | SIEMENS 西门子 | | ||
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N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications 文件：57.21 Kbytes Page：4 Pages | SANYO 三洋 | |
MGF0918A产品属性
- 类型
描述
- 型号
MGF0918A
- 制造商
MITSUBISHI
- 制造商全称
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述
High-power GaAs FET(small signal gain stage)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITS |
20+ |
NA |
35830 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
MITSUBIS |
26+ |
229 |
现货供应 |
||||
MITSUBISHI |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
2450+ |
SMD |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
三菱 |
25+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
||||
MITSUBISHI |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
FUJITSU |
06+ |
SMD |
277 |
全新 发货1-2天 |
|||
MITSUBIS |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
MIT |
2023+ |
7 |
|||||
MITSUBI |
23+ |
N/A |
7560 |
原厂原装 |
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