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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MGBR10S300 | MOS Gated Schottky Diode | UTC 友顺 |   | |
Super low forward voltage drop 文件：156.94 Kbytes Page：3 Pages | UTC 友顺 | | ||
Super low forward voltage drop 文件：156.94 Kbytes Page：3 Pages | UTC 友顺 | | ||
VDR Metal Oxide Varistors High Surge FEATURES • Low β high purity zinc oxide disc • Halogen free insulating epoxy coating • Straight or kinked leads • Higher current surge/size ratio capability up to 10 kA for H20 types • Certified for operation up to 85 °C according to UL 1449 edition 4, VDE/IEC 61051-1/2 • Material categori | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
10A Low Barrier Diode 文件：467.76 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
JNR (NTC 龜????鬼龜??竅) 文件：533.22 Kbytes Page：2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
VDR Metal Oxide Varistors High Surge 文件：248.55 Kbytes Page：25 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-6-24
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