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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MGB15N40CLT4 | Internally Clamped N-Channel IGBT Internally Clamped N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high volt | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MGB15N40CLT4 | Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts Internally Clamped N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high volt | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MGB15N40CLT4 | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 440V 15A 150W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MGB15N40CLT4 | Internally Clamped N-Channel IGBT | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MGB15N40CLT4 | Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK 文件：91.6 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
MGB15N40CLT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
MGB15N40CLT4
- 功能描述
IGBT 晶体管 15A 410V Ignition
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
15793 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-263 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
ON |
24+ |
TO263 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
ON |
24+ |
TO263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-263 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-263 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ON |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
ON |
24+ |
D2PAK3LEAD |
8866 |
||||
ON Semiconductor |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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2019-6-24
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