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630	9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. 2 Features ● Fast Switching ● Low ON Resistance(Rdso	WXDH 东海半导体	WXDH
630A	Fast switching Features • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability Application • DC Motor Control and Class D Amplifier • Uninterruptible Power Supply (UPS) • Automotive	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
630A	Fast switching Features · Fast switching · 100 avalanche tested · Improved dv/dt capability Application · DC Motor Control and Class D Amplifier · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Automotive	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
630	Low Frequencies 文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages	OSCILENT	OSCILENT
630	COMPACT DIGITAL THERMOMETERS & THERMO-HYGROMETERS 文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

METL630供应商更多...

更新时间：2025-10-4 17:00:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	630BJN-1635=P3		24+		1000		询价
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MEMS力传感器在多领域中的应用
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2022-8-16
MEM2012F10R0原装特价现货出售
MEM2012F10R0
2022-7-27
MEM8205
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2021-9-22
MF2410F2.000TM原装现货热卖
MF2410F2.000TM原装表面贴装式保险丝 250V 2.00A Inrush Current
2021-2-3
MEY102K275A01
属性参数值商品目录安规电容脚间距（mm） 10 容值 1nF 精度 ±10%_ 额定电压（VDC，VAC） 275VAC 属性参数值商品目录安规电容脚间距（mm） 10 容值 1nF 精度 ±10%_ 额定电压（VDC，VAC） 275VAC
2020-11-5
MEV1S0505SC-3KVDC隔离1W的单,双输出DC / DC转换器
MEV1S0505SC - 3KVDC隔离1W的单，双输出DC / DC转换器 MEV一系列新的高性能，我们1W NMV系列的版本。 MEV系列是更有效，并提供了改进的调控应用场合表现为1.8％无法容忍的宽输出电压变化。他们非常适合当地供应添加benefi吨控制系统板3KVDC电气隔离，以减少开关ING噪音。 MEV系列是目前在行业SIP7或DIP14封装。 MEV一系列的特征如下： UL60950 Recognized4 符合RoHS标准效率89％（典型值）以0.85W/cm3的̴
2012-11-6