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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -60A, RDS(ON) = 9mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 15mW @VGS = -4.5V.

CET-MOS

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -60A, RDS(ON) = 9mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 15mW @VGS = -4.5V.

CET-MOS

华瑞

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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KERSEMI

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

汇利达广东汇利达半导体有限公司

-30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

更新时间:2025-10-27 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
24+
NA/
27336
原装现货,当天可交货,原型号开票
PHI
24+
TSSOP
6618
公司现货库存,支持实单
CET/華瑞
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原装/可含税
CET
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TO-251(I-PAK)
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    ME6206A25M3G,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.

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  • ME3110AM6G

    ME3110AM6G,全新.当天发货0755-82732291当天发货或门市自取. 企鹅:一七五五二三二五七五 /企鹅:一一五七六一一五八五,威:八七六八零五五八.

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  • ME431AXG

    属性 参数值 商品目录 电压基准芯片 输出电压(最小值/固定) 2.5V 输出电流 100mA 输出电压(最大值) 36V 输入电压 - 电源电流 - 输出类型 可调式 工作温度 -40°C ~ 150°C(TA) 温度系数 20ppm/°C 阴极电流 1mA 精度 ±0.4%_ 参考源类型 分流器

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  • ME6203A33PG

    ME6203A33PG,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • ME6203

    ME6203,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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