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N-Channel60V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description The60N06usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

60Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC60N06isN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorswithstableoff-statecharacteristics,fastswitchingspeed,lowthermalresistance,usuallyusedattelecomandcomputerapplication. FEATURES *RDS(ON)≤18mΩ@VGS=10V,ID=30A *Ultralowgatecharge(ty

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

60A,60VN-CHANNELPOWERMOSFET

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-6-17 23:00:00
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    ME3110AM6G,全新.当天发货0755-82732291当天发货或门市自取.企鹅:一七五五二三二五七五/企鹅:一一五七六一一五八五,威:八七六八零五五八.

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