| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
ME20N10 | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.00918 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
ME20N10 | MOSFET | Forcemos 力士科技 | | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM20N10E uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with | ADV 爱德微 | | ||
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：773.53 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Fast Switching 文件：67.84 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：1.33991 Mbytes Page：5 Pages | JIANGSU 长电科技 | | ||
20 Amps, 95Volts N-CHANNEL Power MOSFET 文件：472.48 Kbytes Page：6 Pages | CHONGQING 平伟实业 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MATSUKI |
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NA/ |
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TO252 |
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松木 |
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