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MDP06N090TH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 62A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 9mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

MDP06N090TH

Single N-channel Trench MOSFET 60V, 62A, 9.0m(ohm)

文件:949.6 Kbytes Page:6 Pages

MGCHIP

Single N-channel Trench MOSFET 60V, 62A, 9.0m(ohm)

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MGCHIP

更新时间:2025-8-8 15:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MAGNACHIP/美格纳
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NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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