| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MDF10N60B | N-Channel MOSFET 600V, 10A, 0.7(ohm) 文件：757.03 Kbytes Page：6 Pages | MGCHIP MagnaChip Semiconductor. |  |   |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.7Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
N-Channel MOSFET 600V, 10A, 0.7(ohm) 文件：757.03 Kbytes Page：6 Pages | MGCHIP MagnaChip Semiconductor. | | | |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MagnaChip/美 |
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TO-220F |
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MAGNACHIP |
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MAGNACHIP |
22+ |
TO-220F |
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美格纳 |
23+ |
TO-220F |
13000 |
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MAGNACHIP |
1932+ |
TO-220F |
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2019-12-1MDD44-16N1B
专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件；主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元
2019-10-18MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK
•保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管 •提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件 •工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围 •降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化 •占用？ 0.5毫瓦的VCC = 2.75 v时 该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立，NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源，直接接地，而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频
2013-3-17MDLM117-H-正三端可调稳压
LM117可调三端正电压稳压器能够提供在超过一个1.2V至37V的输出范围为0.5A。这是非常容易使用和只需要两个外部电阻设置输出电压。此外，线和负荷调节比标准的固定稳压器。除了高于固定稳压器的性能，在LM117提供全面的过载只有在IC的保护。在芯片上包括电流限制，热过载保护和安全区的保护。所有过载保护电路仍然存在功能齐全的，即使调整终端断开。通常情况下，没有电容器需要，除非该装置位于超过6英寸在这种情况下，需要输入旁路输入滤波电容。一个可选的输出可以添加电容，以改善瞬态响应。调整终端可以绕过来实现非常高纹波抑制比，这是很难实现的标准三端稳压器。除了取代固定的稳压器，LM117是在其他多种有用
2013-1-15
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