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位置：首页 > IC中文资料 > MDD60R580PRH

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMD60R580PBRH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.58Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

60R580P

600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET

文件：1.13806 Mbytes Page：10 Pages

MGCHIP

MMD60R580P

600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET

文件：1.07452 Mbytes Page：10 Pages

MGCHIP

MMD60R580PB

600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET

文件：1.07496 Mbytes Page：10 Pages

MGCHIP

MMD60R580PBRH

600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET

文件：1.07496 Mbytes Page：10 Pages

MGCHIP

MDD60R580PRH供应商更多...

更新时间：2025-11-1 15:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市坤融电子科技有限公司
MMD60R580PBRH
MAGNACHIP/美格纳
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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  • MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK

    •保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管 •提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件 •工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围 •降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化 •占用？ 0.5毫瓦的VCC = 2.75 v时 该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立，NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源，直接接地，而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频

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