型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MDD3752RH

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= -43A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= -40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 17mΩ(Max) @VGS= -10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

MDD3752RH

40V P-Ch MOSFET

MGCHIP

MDD3752RH

P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m(ohm)

文件:782.63 Kbytes Page:6 Pages

MGCHIP

MDD3752RH

P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET

文件:1.11414 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

1250 WATTS (AC) DC/D CSINGLE OUTPUT

1250 WATTS (AC) DC/DC SINGLE OUTPUT Features • Single Output • 6U x 28TE x 226mm • Weight: 6.5kg

POWERBOX

BNC (F) To BNC (M) Miniature Size Aluminum Box With Cover

文件:28.46 Kbytes Page:1 Pages

POMONA

Pomona Electronics

HIGH VOLTAGE RECTIFIER ASSEMBLY

文件:106.88 Kbytes Page:2 Pages

Microsemi

美高森美

LED Displays Numeric 7-segment

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Synchronous Rectifier Controller with Opto-Coupler Driver for Forward Converters

文件:732.04 Kbytes Page:48 Pages

LINER

凌力尔特

MDD3752RH产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MDD3752RH

  • 制造商

    MagnaChip

  • 功能描述

    P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m?

更新时间:2025-10-31 15:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MAGANCHIP
23+
TO252-2
7850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
NK/南科功率
2025+
TO-252
520
国产南科平替供应大量
MAGNACHIP
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SOT-252
25000
一级专营品牌全新原装热卖
MAGNACHIP/美格纳
新年份
TO-252
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原装正品现货,实单带TP来谈!
MAGNACHIP/美格纳
2223+
SOT-252
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
MAGNACHIP/美格纳
09+
TO252
880000
明嘉莱只做原装正品现货
MAGNACHIP(美格纳)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
MAGNA
23+
SOT252
8000
只做原装现货
MAGNA
23+
SOT252
7000
MAGNACHI
24+
TO-252
149
只做原厂渠道 可追溯货源

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  • MDD44-16N1B

    专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件;主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元

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    •保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管 •提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件 •工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围 •降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化 •占用? 0.5毫瓦的VCC = 2.75 v时 该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立,NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源,直接接地,而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频

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