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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1444 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode characteristics. This device is ideally suited for use as a low side switch in CPU core power conversion.Standard Product AOL1444 is Pb-free (meets ROHS & Sony 2 | AOSMD 万国半导体 | |||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1444 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode characteristics. This device is ideally suited for use as a low side switch in CPU core power conversion.Standard Product AOL1444 is Pb-free (meets ROHS & Sony 2 | AOSMD 万国半导体 | |||
Externally controlled motor speed regulation 文件:405.68 Kbytes Page:9 Pages | ALLEGRO | |||
Low-Voltage Full-Bridge Brushless DC Motor Driver 文件:405.68 Kbytes Page:9 Pages | ALLEGRO | |||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件:214.84 Kbytes Page:6 Pages | AOSMD 万国半导体 |
MDB1444S产品属性
- 类型
描述
- 型号
MDB1444S
- 制造商
PCTEL
- 功能描述
ANTENNA UNIT
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
22+ |
UltraSO-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
AOS |
11+ |
UItraSo-8 |
106 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
AOS |
20+ |
UltraSO-8 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ALPHA |
22+ |
QFN |
30000 |
只做原装正品 |
|||
AOS(万代) |
23+ |
标准封装 |
20000 |
正规渠道,只有原装! |
|||
AOS/万代 |
21+ |
UltraSO8 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
AO |
25+23+ |
ULTRASO |
38074 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ALPHA |
22+ |
QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
AOS/万代 |
新年份 |
UltraSO-8 |
135000 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
|||
AOS |
18+ |
UltraSO-8 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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MDB1444S规格书下载地址
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2021-1-20MDD44-16N1B
专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件;主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元
2019-10-18MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK
•保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管 •提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件 •工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围 •降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化 •占用? 0.5毫瓦的VCC = 2.75 v时 该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立,NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源,直接接地,而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频
2013-3-17
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