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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MDA102G | SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIER(VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere) 文件:21.5 Kbytes Page:2 Pages | RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司 | ||
MDA102G | SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere 文件:226.75 Kbytes Page:3 Pages | RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司 | ||
SHIELDEDSMTPOWERINDUCTORS ●FEATURE VarioushighpowerinductorareSuperior tobehighsaturationforsurfacemounting ●APPLICATIONS 2DC/DCconverterpowersupply, Telecommunicationequipment | PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD 寶德華股台灣寶德華股有限公司 | |||
Detailscompletssurlesitedufabricant: ProductDescription Fulldetailsonthemanufacturerswebsite: IDEALINDUSTRIES,INC | DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子(上海)有限公司 | |||
PrecisionWirewoundResistors 100Series/SMSeries/PCSeries •Resistancesto6Megohms •ResistanceTolerancesto±0.005 •TemperatureCoeffcientsof±2ppm/°C •HighTCRAvailable(Balco&PlatinumWire) •100AcceptanceTested/TraceabletoNIST •LongTermStability/100ppm/year •MatchedResistanceSetst | Riedon Riedon Inc. | |||
0.5/2.5GHzUHFLOBUFFERAMPLIFIER DESCRIPTION TheSTB7102,STB7103andSTB7104designedforMobilePhoneapplications(0.1/2.5GHz),areanhighisolationSiMMICBufferAmplifiers.ManufacturedinthethirdgenerationofSTproprietarybipolarprocess,theyoffersanexcellentisolationandagoodlinearityusingalowcurrentco | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | |||
0.1/2.5GHzSiMMICBUFFERAMPLIFIERS DESCRIPTION TheSTB7102,STB7103andSTB7104designedforMobilePhoneapplications(0.1/2.5GHz),areanhighisolationSiMMICBufferAmplifiers.ManufacturedinthethirdgenerationofSTproprietarybipolarprocess,theyoffersanexcellentisolationandagoodlinearityusingalowcurrentco | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 |
MDA102G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MDA102G
- 功能描述
桥式整流器 1A 200V
- RoHS
否
- 制造商
Vishay
- 产品
Single Phase Bridge
- 峰值反向电压
1000 V 最大 RMS
- 正向连续电流
4.5 A
- 最大浪涌电流
450 A
- 正向电压下降
1 V
- 最大反向漏泄电流
10 uA
- 最大工作温度
+ 150 C
- 长度
30.3 mm
- 宽度
4.1 mm
- 高度
20.3 mm
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
SIP-4
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
23+ |
N/A |
12500 |
IXYS全系列在售 |
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IXYS |
23+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
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RECTRON |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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ADI/亚德诺 |
23+ |
66800 |
现货正品专供军研究院 |
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ADI/亚德诺 |
原封装 |
66900 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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ADI/亚德诺 |
21+ |
原封装 |
610880 |
本公司只售原装 支持实单 |
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RECTRON-瑞创 |
24+25+/26+27+ |
RS-1 |
36218 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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BUSSMANN |
新 |
1000 |
全新原装 货期两周 |
||||
AD |
2021+ |
60000 |
原装现货,欢迎询价 |
||||
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02+ |
2 |
MDA102G规格书下载地址
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- MDA-1/10-R
- MDA-1/100-R
- MDA-1/100
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2021-12-14MD6000-6UMG641全新原装现货
MD6000-6UMG641,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
2021-1-20MDD44-16N1B
专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件;主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元
2019-10-18MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK
•保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管•提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件•工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围•降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化•占用?0.5毫瓦的VCC=2.75v时该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立,NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源,直接接地,而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频
2013-3-17
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