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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =4mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

Steckbare Anschlussklemmen auf Stiftleisten, Raster 5,08 mm

文件:140.95 Kbytes Page:2 Pages

LUMBERGLumberg

隆堡

Pluggable terminal blocks on pin headers, pitch 5.08 mm

文件:336.43 Kbytes Page:4 Pages

LUMBERGLumberg

隆堡

High Performance Silicon NPN Phototransistor in Side Look Package

文件:180.67 Kbytes Page:4 Pages

AVAGO

安华高

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 25 V, 4.0 m廓

文件:316.15 Kbytes Page:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

更新时间:2025-8-15 23:01:01
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  • MD6000-6UMG641全新原装现货

    MD6000-6UMG641,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.

    2021-1-20
  • MDD44-16N1B

    专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件;主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、瑞士ABB、Mitsubishi三菱、Fuji富士、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、TYCO泰科、变频器主控板、操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元

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  • MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK

    •保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管 •提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件 •工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围 •降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化 •占用? 0.5毫瓦的VCC = 2.75 v时 该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立,NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源,直接接地,而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频

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