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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MD5811-D256-V3Q18-P产品属性
- 类型
描述
- 型号
MD5811-D256-V3Q18-P
- 功能描述
IC MDOC P3 256MB 48-TSOP
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 标准包装
150
- 系列
- 格式 -
- 存储器
EEPROMs - 串行
- 存储器类型
EEPROM
- 存储容量
4K(2 x 256 x 8)
- 速度
400kHz
- 接口
I²C，2 线串口
- 电源电压
2.5 V ~ 5.5 V
- 工作温度
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳
8-VFDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装
8-DFN（2x3）
- 包装
管件
- 产品目录页面
1445(CN2011-ZH PDF)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
M-Syste |
23+ |
tsop48 |
8560 |
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DISKONCHIP |
23+ |
TSOP |
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M-Systems |
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TSOP48 |
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M-SYSTEMS |
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M-SYSTEMS |
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25+23+ |
48TSOP |
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M-Systems |
25+ |
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SYSTEM |
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60000 |
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M-SYSTEMS |
TSOP48 |
68500 |
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M-Systems |
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•保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管 •提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件 •工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围 •降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化 •占用？ 0.5毫瓦的VCC = 2.75 v时 该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立，NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源，直接接地，而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频
2013-3-17
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