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MD5000晶体管资料
MD5000别名：MD5000三极管、MD5000晶体管、MD5000晶体三极管
MD5000生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
MD5000制作材料：
MD5000性质：射频/高频放大 （HF）_调幅 （AM）
MD5000封装形式：直插封装
MD5000极限工作电压：20V
MD5000最大电流允许值：0.05A
MD5000最大工作频率：<1MHZ或未知
MD5000引脚数：6
MD5000最大耗散功率：0.4W
MD5000放大倍数：
MD5000图片代号：D-48
MD5000vtest：20
MD5000htest：999900
- MD5000atest：.05
MD5000wtest：.4
MD5000代换 MD5000用什么型号代替：3CG132B,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DUALPOSITIVE/NEGATIVE,3AMP,LOWDROPOUTFIXEDVOLTAGEREGULATORS DESCRIPTION: TheMSK5000Seriesofferslowdropoutvoltagesonboththepositiveandnegativeregulators.This,combinedwiththelowθJC,allowsincreasedoutputcurrentwhileprovidingexceptionaldeviceeffciency.Becauseoftheincreasedeffciency,asmallhermetic5pinpackagecanbeusedp | MSK MSK |  |   | |
THS4531DGKEVMEvaluationModule 文件：436.41 Kbytes Page：7 Pages | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) |  | | |
THS4521/2/4EVM 文件：1.10684 Mbytes Page：15 Pages | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) | | | |
SimplePowerSolutionUsingLDOs 文件：149.07 Kbytes Page：8 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | | |
Dual-CoreIntelXeonProcessor 文件：3.69648 Mbytes Page：104 Pages | IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司） |  | |
MD5000产品属性
- 类型
描述
- 型号
MD5000
- 制造商
Motorola Inc
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
21+ |
TO-247 |
13954 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
||||
AVAGO |
1829 |
300 |
只做原装正品 |
||||
LSI |
21+ |
BGA |
6500 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
20+ |
SOP14 |
14500 |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
|||
MOLEX/莫仕 |
2308+ |
343380 |
一级代理,原装正品! |
||||
LSI LOGIC |
23+ |
FBGA-672 |
7208 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
LSI LOGIC |
23+ |
FBGA-672 |
11476 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
EMULEX |
22+ |
BGA |
323 |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
KEYSTONEELECTRONICS |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
|||
KEYSTONEELECTRONICS |
23+ |
NA |
6000 |
可订货,请确认 |
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- MD-40J
- MD-40FC
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2020-1-15MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK
•保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管•提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件•工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围•降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化•占用？0.5毫瓦的VCC=2.75v时该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立，NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源，直接接地，而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频
2013-3-17
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