型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

FEATURES  High-speed switching, Low On-resistance  1.2V Low gate drive  ESD protected  Available in SC89-3 package DESCRIPTION VDS=20V VGS=±8V ID(A)=0.83A RDS(ON)=200mΩ(Typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=245mΩ(Typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=310mΩ(Typ.)@VGS=1.8V RDS(ON)=380mΩ(Typ.)@VGS=1.5V RDS(ON)=

AITSEMI

创瑞科技

100V N-Channel MOSFET

General Description The AO4452 is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technology is well suited for PWM, load switching and general purpose applicatio

AOSMD

万国半导体

Pushbutton valve

文件:91.47 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

115dB 768kHz 32-bit 2ch Premium DAC

文件:2.38194 Mbytes Page:82 Pages

AKM

旭化成微电子

115dB 768kHz 32-bit 2ch Premium DAC

文件:2.84334 Mbytes Page:91 Pages

AKM

旭化成微电子

更新时间:2025-12-16 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS万代
100000
代理渠道/只做原装/可含税
AOS/万代
25+
SOP8
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
AOS
13+
SOP8
1179
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
AOS/万代
24+
SOP8
990000
明嘉莱只做原装正品现货
AOS(万代)
2511
标准封装
20000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
AOS(万代)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
AOS/万代
25+
SOP8
32360
AOS/万代全新特价AO4452即刻询购立享优惠#长期有货
AOS/万代
25+
SOP-8
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
AOSMD
24+
SOP-8
9750
绝对原装现货,价格低,欢迎询购!
AOS(万代)
24+
标准封装
6667
我们只是原厂的搬运工

MD4452C-VC-B数据表相关新闻

  • MD-40SM 4 针位圆形连接器 插座,母型插口 焊接

    MD-40SM

    2023-3-23
  • MD6752全数字控制电源 IC

    Sanken 的 MD6752 IC 采用数字控制策略,可实现特定应用的最佳设置

    2022-10-9
  • MD1422N

    MD1422N,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-25
  • MD6000-6UMG641全新原装现货

    MD6000-6UMG641,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.

    2021-1-20
  • MCZ33905CS5EKR2

    MCZ33905CS5EKR2,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-1-15
  • MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK

    •保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管 •提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件 •工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围 •降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化 •占用? 0.5毫瓦的VCC = 2.75 v时 该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立,NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源,直接接地,而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频

    2013-3-17