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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FEATURES High-speed switching, Low On-resistance 1.2V Low gate drive ESD protected Available in SC89-3 package DESCRIPTION VDS=20V VGS=±8V ID(A)=0.83A RDS(ON)=200mΩ(Typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=245mΩ(Typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=310mΩ(Typ.)@VGS=1.8V RDS(ON)=380mΩ(Typ.)@VGS=1.5V RDS(ON)= | AITSEMI 创瑞科技 | |||
100V N-Channel MOSFET General Description The AO4452 is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge.The result is outstanding efficiency with controlled switching behavior. This universal technology is well suited for PWM, load switching and general purpose applicatio | AOSMD 万国半导体 | |||
Pushbutton valve 文件:91.47 Kbytes Page:1 Pages | FESTOFesto Corporation. 费斯托费斯托(中国)有限公司 | |||
115dB 768kHz 32-bit 2ch Premium DAC 文件:2.38194 Mbytes Page:82 Pages | AKM 旭化成微电子 | |||
115dB 768kHz 32-bit 2ch Premium DAC 文件:2.84334 Mbytes Page:91 Pages | AKM 旭化成微电子 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-1-15MDC5000T1-硅集成电路SMALLBLOCK
•保持在各类离散双极和场稳定的偏置电流效应晶体管 •提供无镇流器使用的辐射源稳定的偏置使用单个的组件和旁路元件 •工作电压为1.8伏在供电电压下宽范围 •降低偏置电流变化由于温度和单位对单位参变化 •占用? 0.5毫瓦的VCC = 2.75 v时 该器件提供了一个参考电压作为直流反馈元件和行为围绕一个外部分立,NPN型晶体管或N沟道场效应管。它允许外部晶体管有其发射器/源,直接接地,而且仍然具有稳定集电极/漏极直流电流。这主要是为了稳定的离散射频
2013-3-17
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