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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Features  68V,75A N-Channel MOSFET  RDS(on)(typ.)=6.5mΩ@VGS=10V  High ruggedness  Fast switching  100 avalanche tested  Exceptional dv/dt capability Applications  Switching application

TUOFENG

拓锋半导体

更新时间:2025-12-30 9:37:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
12+
QFN
237
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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60000
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