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MCR100-6ZL1G	SensitiveGateSiliconControlledRectifiers SensitiveGateSiliconControlledRectifiers ReverseBlockingThyristors PNPNdevicesdesignedforhighvolume,line-poweredconsumerapplicationssuchasrelayandlampdrivers,smallmotorcontrols,gatedriversforlargerthyristors,andsensinganddetectioncircuits.Suppliedinanin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MCR100-6ZL1G	SensitiveGateSiliconControlledRectifiersReverseBlockingThyristors 文件：68.99 Kbytes Page：7 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MCR100-6ZL1G	封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）包装：散装描述：SCR 400V 800MA TO92-3 分立半导体产品晶闸管 - SCR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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MCR100-6ZL1	SiliconControlledRectifiers SensitiveGateSiliconControlledRectifiers ReverseBlockingThyristors PNPNdevicesdesignedforhighvolume,line-poweredconsumerapplicationssuchasrelayandlampdrivers,smallmotorcontrols,gatedriversforlargerthyristors,andsensinganddetectioncircuits.Suppliedinaninexpens	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
MCR100-6ZL1	SensitiveGateSiliconControlledRectifiersReverseBlockingThyristors 文件：68.99 Kbytes Page：7 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

MCR100-6ZL1G产品属性

类型
描述
型号
MCR100-6ZL1G
功能描述
SCR 400V 800mA
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics 最大转折电流
IBO
480 A 额定重复关闭状态电压
VDRM
600 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）
5 uA
开启状态
RMS
正向电压下降
1.6 V
栅触发电压(Vgt)
1.3 V
最大栅极峰值反向电压
5 V
栅触发电流(Igt)
35 mA 保持电流（Ih
最大值）
75 mA
安装风格
Through Hole
封装/箱体
TO-220
封装
Tube

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更新时间：2025-6-16 20:00:00

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MCR100-8 30-80
属性参数值商品目录可控硅通态电流(It(RMS))(Max)800mA 通态电流(It(AV))(Max)- 断态电压Vdrm600V 栅极触发电压800mV 类型单向可控硅栅极触发电流80uA
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