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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha | NTE |   | ||
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MC2102L产品属性
- 类型
描述
- 型号
MC2102L
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Bulk
MC2102L规格书下载地址
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2019-7-9
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