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MC100EP08DR2G

ECL 2-Input Differential XOR/XNOR

文件:178.11 Kbytes Page:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MC100EP08DR2G

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC 集成电路(IC) 门和反相器 - 多功能,可配置

ONSEMI

安森美半导体

Differential 2-Input XOR/XNOR

Description The MC10/100EP08 is a differential XOR/XNOR gate. The EP08 is ideal for applications requiring the fastest AC performance available. The 100 Series contains temperature compensation. Features • 250 ps Typical Propagation Delay • Maximum Frequency > 3 GHz Typical • PECL Mode Opera

ONSEMI

安森美半导体

MC100EP08DR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MC100EP08DR2G

  • 功能描述

    逻辑门 3.3V/5V ECL 2-Input Diff XOR/XNOR

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 产品

    OR

  • 逻辑系列

    LVC

  • 栅极数量

    2

  • 线路数量(输入/输出)

    2/1

  • 高电平输出电流

    - 16 mA

  • 低电平输出电流

    16 mA

  • 传播延迟时间

    3.8 ns

  • 电源电压-最大

    5.5 V

  • 电源电压-最小

    1.65 V

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DCU-8

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-12-30 14:10:00
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