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SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·Low capacitances and low gate charge ·RDS(ON)= 100mΩ(MAX)@VGS=20V TJ=25℃ ·Fast and reliable body diodee ·Superior avalanche ruggedness APPLICATIONS ·Smart grid transmission and distribution ·Induction heating and welding ·Power supply and distribution ·Motor drives

ISC

无锡固电

Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET

文件:1.99327 Mbytes Page:10 Pages

Microsemi

美高森美

更新时间:2025-10-29 17:39:01
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