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MBRS130T3G_V01

Surface Mount Schottky Power Rectifier

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-8-6 14:03:00
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