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MBRS130T3G_V01

Surface Mount Schottky Power Rectifier

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-10-12 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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