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MBRS130LT3G_V01

SchottkyPowerRectifierSurfaceMountPowerPackage

ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification, orasfreewheelingandpol

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-5-20 9:48:00
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