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MBRS130LT3价格

参考价格：￥0.3560

型号：MBRS130LT3G 品牌：ON 备注：这里有MBRS130LT3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MBRS130LT3批发/采购报价，MBRS130LT3行情走势销售排行榜，MBRS130LT3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MBRS130LT3

Schottky Power Rectifier(Surface Mount Power Package)

. . . Employs the Schottky Barrier principle in a large area metal–to–silicon power diode. State–of–the–art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity prot

Motorola

摩托罗拉

MBRS130LT3

Schottky Power Rectifier

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ONSEMI

安森美半导体

MBRS130LT3

Schottky Power Rectifier

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ONSEMI

安森美半导体

MBRS130LT3

Schottky Barrier Rectifiers

EIC

MBRS130LT3G

Schottky Power Rectifier

Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage,

ONSEMI

安森美半导体

MBRS130LT3G

Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol

ONSEMI

安森美半导体

MBRS130LT3G_V01

Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol

ONSEMI

安森美半导体

MBRS130LT3_07

Schottky Power Rectifier

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ONSEMI

安森美半导体

MBRS130LT3_09

Schottky Power Rectifier

文件：139.38 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBRS130LT3G

Schottky Power Rectifier

文件：95.76 Kbytes Page：6 Pages

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安森美半导体

MBRS130LT3G

Schottky Power Rectifier

文件：139.38 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBRS130LT3G

封装/外壳：DO-214AA，SMB 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ONSEMI

安森美半导体

MBRS130LT3G

肖特基功率整流器，表面贴装，1.0 A，30 V

ONSEMI

安森美半导体

MBRS130LT3H

DIODE SCHOTTKY

ONSEMI

安森美半导体

MBRS130LT3H

封装/外壳：DO-214AA，SMB 包装：散装 描述：DIODE SCHOTTKY 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ONSEMI

安森美半导体

MBRA130LT3G

Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package

This device employs the Schottky Barrier principle in a metal−to−silicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling diodes and polarity protection diod

ONSEMI

安森美半导体

MBRA130LT3

Surface Mount Schottky Power Rectifier

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Motorola

摩托罗拉

MBRA130LT3

Surface Mount Schottky Power Rectifier

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ONSEMI

安森美半导体

MBRA130LT3G

Surface Mount Schottky Power Rectifier

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安森美半导体

MBRA130LT3G

Surface Mount Schottky Power Rectifier

文件：146.74 Kbytes Page：5 Pages

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安森美半导体

MBRS130LT3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MBRS130LT3

  • 功能描述

    肖特基二极管与整流器 1A 30V Low Vf

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压

    2 V

  • 正向连续电流

    50 mA

  • 配置

    Crossover Quad

  • 正向电压下降

    370 mV

  • 最大功率耗散

    75 mW

  • 工作温度范围

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-143

  • 封装

    Reel

MBRS130LT3供应商更多...

更新时间：2025-10-12 19:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市天芯威科技有限公司
MBRS130LT3G
ON(安森美)
23+
25900
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瀚佳科技(深圳)有限公司
MBRS130LT3G
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MBRS130LT3
ON/安森美
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DO-214AC
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深圳市一线半导体有限公司
MBRS130LT3
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SOT
3000
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